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美國商務部擬撥 7,300 萬美元給 Vertical Semiconductor：GaN 垂直電晶體攻 AI 數據中心供電
Vertical Semiconductor 與美國商務部 CHIPS 研發辦公室簽署意向書，擬獲最高 7,300 萬美元 CHIPS 法案資金，加速研發垂直氮化鎵功率電晶體，緩解 AI 數據中心電力瓶頸。
為何重要
Vertical Semiconductor 於 10 月 22 日宣布，已與美國商務部 CHIPS 研發辦公室（CRDO）簽署意向書（letter of intent），擬依據《CHIPS 與科學法案》獲得最高 7,300 萬美元的聯邦激勵資金，用於研發與商業化新一代垂直氮化鎵（GaN）功率電晶體。資金目標是提升 AI 數據中心與高效能運算的電力傳輸效率、推動美國本土生產。
技術細節
該公司由麻省理工學院分拆成立，正在開發垂直 GaN FinFET 平台，號稱比傳統功率轉換方案具備更高功率效率與功率密度：降低功率轉換時的能量損耗與廢熱、縮小電力基礎設施佔地。公司表示，這類改進可讓數據中心營運商在不按比例擴充電網容量的情況下，部署更多算力。
公司說法
執行長兼共同創辦人 Cynthia Liao 表示：「電力是 AI 基礎設施擴建中最關鍵的瓶頸。」她稱這筆 CHIPS 研發獎勵將加速垂直 GaN 的研發與商業化，在現有電力限制下擴大美國算力容量。意向書仍屬「擬議」資金，最終撥款需走完商務部審核程序。
來源
Vertical Semiconductor 官方通稿（經 Business Wire／Morningstar，2026-10-22）；Pulse2 報導（2026-10-22）。
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