美光宣布棄用 4F² DRAM 架構　改攻 6F² 與 3D 記憶體

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美光總裁兼技術長 Scott DeBoer 在 10 月 21 日（週三）的十年技術藍圖說明會上表示，公司已研究 4F² 架構超過 20 年（該架構正是由美光發明），但在前沿製程上面臨「根本性的微縮難題」，所謂密度優勢是「有點神話」——老製程可以做，做出來成本更高、複雜度更大，卻換不到實質好處。

美光將把重心放在成熟的 6F² 架構上，並跨越到先進晶圓鍵合與三維堆疊。1δ（1-delta）DRAM 將接替現行 1γ 節點，預計 2027 年下半年在 Boise 廠開始放量，位元密度提升約 20% 中段，並為 HBM5 與垂直式 HBM（vHBM）設計。1ε 節點將全面導入晶圓鍵合技術；3D DRAM 的研發則排在 1ζ 到 1η 節點之間，高數值孔徑 EUV 光刻也在探索之列。

NAND 方面，美光將跳過一代、從 Gen 9 直接跳到 G11：超過 400 層、位元密度是 Gen 9 的兩倍、輸入輸出速度 1.5 倍，同樣排定 2027 年下半年放量。HBM4 已進入大量生產，每堆疊頻寬 2.8 TB/s；下一步是直接堆疊在處理器上的垂直 HBM，以及用於機器人與汽車的低功耗垂直推理記憶體。

對手並未跟進：中國長鑫存儲（CXMT）近日宣佈要把 4F² 伺服器 DRAM 商用化，一度拖累韓國記憶體股。三星、SK 海力士仍押注垂直通道電晶體（VCT）實現 4F²。這場路線之爭的裁判將是量產良率與成本——美光賭的是 3D。